DMN3029LFG-13

DMN3029LFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高功率密度和高效散热而设计，其核心架构优化了电流通路，显著降低了寄生参数，从而实现了优异的开关性能和导通损耗控制。

作为一款逻辑电平门驱动的MOSFET，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）仅为1.8V，确保了其能够与3.3V或5V的现代微控制器及数字信号处理器直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。在10V的Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至18.6毫欧（在10A条件下测量），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率，尤其是在大电流开关应用中。

在动态参数方面，该器件表现出色。其栅极总电荷（Qg）仅为11.3nC，结合580pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动所需的能量极低，这不仅降低了驱动电路的负担，也使得开关速度更快，开关损耗得以进一步减少。其30V的漏源击穿电压（Vdss）和5.3A的连续漏极电流（Id）能力，使其非常适用于低压、中高电流的功率路径管理场景。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取完整的技术支持和供货服务。

基于上述特性，DMN3029LFG-13的理想应用领域包括但不限于：服务器和计算设备的负载开关与电源轨切换、便携式设备中的电池保护与充电管理电路、电机驱动模块中的H桥下管，以及DC-DC同步整流转换器中的同步整流管。其表面贴装的封装形式完全适配自动化生产流程，是追求高效率、小体积的现代电子产品设计的优选功率开关解决方案。

• 型号:DMN3029LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18.6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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