DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为表面贴装应用而设计，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效率的开关性能。其30V的漏源电压额定值（Vdss）与5.3A的连续漏极电流（Id）能力，使其成为低压、高电流密度应用的理想选择。

该MOSFET的关键性能体现在其卓越的导通电阻特性上。在10V栅源驱动电压（Vgs）和10A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为18毫欧。这一低Rds(On)值直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，结合最大4.5V的驱动电压（以获得最小Rds(On)），表明该器件兼容标准的逻辑电平驱动，易于被微控制器或低压逻辑电路直接控制，简化了驱动电路设计。

在动态开关特性方面，DMN3030LFG-7在10V Vgs下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为17.4nC，输入电容（Ciss）最大值为751pF。较低的栅极电荷和电容意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用（如DC-DC转换器）至关重要，可以有效减少开关过程中的能量浪费。其栅源电压可承受±25V的最大值，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。器件的功率耗散能力为900mW，并支持宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的可靠运行。

综合其电气参数，DMN3030LFG-7非常适合用于需要高效率和小尺寸的电源管理场景。典型应用包括负载开关、电机驱动、电池保护电路以及各类便携式设备、计算设备和消费电子产品中的同步整流与DC-DC降压转换器。对于需要可靠供应链保障的客户，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保获得正品器件与完善的技术支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

• 型号:DMN3030LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:751 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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