DMN3032LE-13

DMN3032LE-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的硅基技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一关键指标直接关系到开关应用的效率与热性能。器件内部集成了稳健的体二极管，为感性负载开关提供了必要的续流路径，增强了系统的可靠性。

该器件在电气特性上表现出色，其最大漏源电压(Vdss)为30V，在25°C环境温度下可支持高达5.6A的连续漏极电流。其导通电阻极低，在10V栅源驱动电压(Vgs)和3.2A漏极电流条件下，典型值仅为29毫欧，这有效降低了导通状态下的功率损耗和温升。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，并兼容宽范围的栅极驱动电压（最大±20V），确保了与常见逻辑电平（如3.3V或5V）及更高驱动电压的良好兼容性，提供了灵活的设计窗口。

在动态性能方面，DIODES一级代理提供的官方数据显示，栅极总电荷(Qg)典型值仅为11.3nC，结合较低的输入电容(Ciss)，使得该MOSFET具备快速的开关切换能力，有助于提升开关电源、电机驱动等应用中的工作频率和整体效率。其采用热性能优异的SOT-223表面贴装封装，在紧凑的占板面积下提供了良好的散热路径，最大功耗可达1.8W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其平衡的性能参数，DMN3032LE-13非常适合用于需要高效率、小尺寸的功率管理场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、低电压电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式设备、消费电子和工业控制模块中的功率分配单元。其设计在性能、尺寸和成本之间取得了良好平衡，是工程师在空间受限且对效率有要求的项目中一个可靠的选择。

• 型号:DMN3032LE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:498 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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