DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的双N沟道增强型功率MOSFET，集成于紧凑的8引脚SOIC封装内。该器件采用双独立MOSFET的架构设计，两个N沟道晶体管在物理上隔离，但共享同一封装，为需要高密度布局的电路板提供了节省空间的解决方案。其核心优势在于将低导通电阻与快速开关特性相结合，旨在优化功率转换效率和热管理性能。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（RDS(on)）典型值低至20毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。其栅极阈值电压（VGS(th)）最大值为2.1V，确保了与主流低压逻辑电平（如3.3V或5V）的良好兼容性，可直接由微控制器或驱动IC高效驱动。同时，低至13nC的栅极总电荷（Qg）与725pF的输入电容（Ciss）共同决定了其出色的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用场景。

在电气参数方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和6.9A的连续漏极电流（Id）能力，为低压DC-DC转换、电机控制和负载开关提供了可靠的电压与电流裕量。其采用表面贴装型（SMD）8-SOIC封装，封装宽度为3.90mm，符合现代电子设备小型化的趋势。器件结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道获取此产品。

基于其性能组合，DMN3033LSDQ-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用包括同步整流DC-DC降压转换器中的低侧开关、电池供电设备中的负载管理开关、小型有刷直流电机或步进电机的H桥驱动电路，以及服务器、通信设备中的电源分配单元（PDU）。其双通道设计尤其适合需要多路独立控制或并联以进一步降低导通电阻的场合，为工程师提供了灵活且高性能的功率开关选择。

• 型号:DMN3033LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:725pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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