DMN3042L-7

Diodes Incorporated推出的DMN3042L-7是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这是衡量开关性能与效率的关键指标。该器件采用热增强型SOT-23封装，有助于在有限的PCB空间内实现有效的热量管理。

在电气特性方面，DMN3042L-7具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为其在低压直流应用中的稳定运行提供了充足的裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和5.8A漏极电流（Id）条件下，典型值低至26.5毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.4V，结合最大±12V的栅源电压范围，使其能够与多种逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动器轻松兼容，简化了驱动电路设计。

该MOSFET的动态开关特性同样出色。在10V Vgs条件下，其总栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC，输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为860pF。这些较低的电荷与电容参数意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，从而能够实现更高的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于需要快速切换的应用。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定为5.8A，最大功耗为720mW，结合-55°C至150°C的宽结温（Tj）工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取产品与设计资源。

凭借其综合性能，DMN3042L-7非常适合用于空间受限且对效率有要求的各类低压功率管理场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及便携式设备中的电源分配单元。其SOT-23的表面贴装封装形式也完全适应现代电子设备高密度组装的需求。

• 型号:DMN3042L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:860 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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