DMN3052L-7

DMN3052L-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，其核心设计旨在提供高效率的功率开关功能。

该MOSFET的栅极驱动设计兼容逻辑电平，在10V的Vgs条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为32毫欧，这一低导通电阻特性是其在开关应用中实现低导通损耗和高效能的关键。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，确保了在常见的3.3V或5V逻辑系统中能够被可靠地驱动和完全开启，简化了驱动电路的设计。器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和5.4A的连续漏极电流（Id）能力，为低压DC-DC转换、电机控制和负载开关等应用提供了充足的电压与电流裕量。

在动态特性方面，DMN3052L-7在5V偏置下的输入电容（Ciss）为555pF，结合其栅极电荷特性，有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗并提升系统整体频率响应。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，提供了良好的栅极过压保护能力。器件的最大功耗为1.4W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在宽温环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道获取产品与相关设计资源。

凭借其低导通电阻、逻辑电平驱动和快速开关性能，这款MOSFET非常适合空间受限且对效率有高要求的应用场景。其主要应用领域包括便携式设备的电源管理模块、低压DC-DC同步整流或非同步降压转换器的下管、小型有刷直流电机的PWM驱动控制，以及作为系统中的通用负载开关，用于电源轨的分配与通断控制。

• 型号:DMN3052L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:555 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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