DMN3071LFR4-7

DMN3071LFR4-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的X2-DFN1010-3封装，专为高密度PCB布局和高效散热而设计。其核心架构基于优化的单元结构，旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。

在电气特性方面，该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和3.4A的连续漏极电流（Id）能力，适用于低压、中电流的功率控制场景。其导通电阻在Vgs=10V、Id=3.2A的条件下典型值仅为65毫欧，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，并与4.5V至10V的标准逻辑电平驱动电压良好兼容，使其能够被微控制器或低压逻辑电路直接、高效地驱动，简化了外围驱动电路的设计。

该器件的动态性能同样突出，最大栅极电荷（Qg）低至4.5nC（@10V），输入电容（Ciss）最大值为190pF（@15V）。这些低电荷参数直接转化为快速的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购与咨询。

综合其性能参数，DMN3071LFR4-7非常适合应用于空间受限且对效率要求高的现代电子设备中。典型应用场景包括便携式设备的电源管理、如智能手机和平板电脑中的负载开关与电池保护电路；低电压DC-DC buck/boost转换器中的主开关或同步整流管；以及电机驱动、LED照明驱动等需要高效功率切换的领域。其表面贴装封装和优异的电气特性使其成为工程师在追求小型化、高效能设计时的理想选择。

• 型号:DMN3071LFR4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1010-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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