DMN30H4D1S-7

DMN30H4D1S-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件设计用于在高达300V的漏源电压下工作，其核心架构优化了高压下的导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在开关应用中实现高效率与低损耗。其紧凑的SOT-23封装集成了高性能的硅片，确保了在恶劣温度条件下的稳定性和可靠性。

该MOSFET具备出色的电气特性，其导通电阻在10V栅极驱动电压、300mA漏极电流条件下典型值仅为4欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极阈值电压最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。极低的栅极电荷（最大值4.8nC @ 10V）和输入电容（最大值174pF @ 25V）是其另一关键优势，这意味着在高速开关过程中，所需的驱动能量更少，开关速度更快，能够有效减少开关损耗并提升系统整体频率响应。

在接口与参数方面，器件支持高达430mA的连续漏极电流，最大功耗为360mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于宽温环境。其栅源电压耐受范围为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。表面贴装的SOT-23封装使其非常适合于空间受限的PCB设计，DIODES中国代理可提供完整的技术支持与供应链服务，确保设计导入与批量生产的顺畅进行。

基于其高压、低栅荷和快速开关的特性，DMN30H4D1S-7非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）中的初级侧启动或辅助电源电路、LED照明驱动、电池管理系统的保护开关，以及各种AC-DC适配器、充电器中的功率开关和负载开关。其高耐压和良好的热性能也使其成为工业控制、家用电器中电机驱动或继电器替代方案的可靠选择。

• 型号:DMN30H4D1S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:174 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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