DMN3110S-7

DMN3110S-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。内部采用优化的单元设计，有效降低了栅极电荷和寄生电容，为高效率的功率转换与控制提供了坚实的物理基础。

该MOSFET在10V栅源电压驱动下，其导通电阻典型值可低至73毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。其栅极阈值电压最大值为3V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。同时，器件具有极低的栅极电荷，最大值仅为8.6nC，结合305.8pF的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关应用中减少开关损耗。

在电气参数方面，DMN3110S-7的连续漏极电流额定值为2.5A，漏源击穿电压为30V，能够满足多种低压应用场景的电压与电流需求。其采用热增强型SOT-23封装，在环境温度下最大功耗为740mW，结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取原装正品和技术支持。

凭借其低导通电阻、快速开关速度和小型化封装的综合优势，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率要求高的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路、电池保护模块以及便携式设备中的电源管理单元。其表面贴装形式也完全适配现代自动化贴装生产线，有助于降低生产成本。

• 型号:DMN3110S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:73 毫欧 @ 3.1mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305.8 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:740mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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