DMN313DLT-7

DMN313DLT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体技术构建，其核心架构旨在实现优异的开关性能与低功耗特性。其紧凑的SOT-523封装集成了高密度的硅片设计，确保了在微小体积下依然能提供可靠的电气隔离和高效的热传导路径，为高密度PCB布局提供了理想的解决方案。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和270mA的连续漏极电流(Id)能力，使其能够稳健地处理中小功率的开关与信号调理任务。其关键优势在于极低的栅极驱动需求，栅源阈值电压(Vgs(th))最大仅为1.5V，并且能在2.5V至4.5V的低驱动电压下实现优异的导通电阻(RdsOn)性能，例如在4V Vgs和10mA Id条件下，RdsOn最大值仅为2欧姆。这种特性使其与低电压逻辑电路（如MCU GPIO口）能够无缝兼容，无需额外的电平转换或驱动放大电路，极大地简化了系统设计。

在动态性能方面，DMN313DLT-7表现出色。栅极电荷(Qg)在4.5V下最大值仅为0.5nC，同时输入电容(Ciss)在5V下最大值为36.3pF，这些极低的寄生参数共同决定了其极快的开关速度，能有效降低开关损耗，提升系统整体效率，尤其适用于高频开关应用。器件的栅极耐受电压(Vgs)范围为±20V，提供了良好的抗栅极过压冲击能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型SOT-523封装，最大功耗为280mW，确保了在严苛环境下的稳定性和易用性。对于稳定可靠的供货与技术支援，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借其低电压驱动、快速开关、小尺寸及宽温工作的综合特性，该器件非常适合应用于便携式电子设备、电池供电系统、负载开关、信号切换、电平转换以及各类需要高效功率管理的模块中，例如智能手机的电源管理单元、物联网传感器节点、可穿戴设备的电路保护以及作为其他集成电路的驱动或接口部分。

• 型号:DMN313DLT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36.3 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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