DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率开关器件。该器件构建于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构之上，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性。其结构优化了沟道与栅极的几何尺寸，在确保30V漏源电压（Vdss）额定值的同时，有效控制了寄生参数，为低电压、小电流的精密开关应用提供了坚实的基础。

该器件的一个显著特性是其极低的栅极驱动要求与出色的导通性能。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，而标准驱动电压范围在1.2V至4.5V之间，这意味着它能够轻松被微控制器GPIO口或低电压逻辑电路直接驱动，无需复杂的电平转换电路。在4.5V Vgs条件下，当漏极电流为100mA时，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为1.5欧姆，这有助于在开关和线性调节应用中最小化传导损耗，提升整体系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）极低，最大值仅为0.35nC，配合22.2pF的输入电容（Ciss），共同确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数与物理接口方面，DMN31D5UFZ-7B在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）额定值为220mA，最大功率耗散为393mW。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。器件采用超紧凑的X2-DFN0606-3表面贴装封装，占板面积极小，非常适合空间受限的现代便携式电子产品设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其综合性能，该MOSFET非常适合应用于对尺寸和效率有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、电池供电设备中的低侧开关，以及传感器模块、可穿戴设备、物联网（IoT）节点等产品中的信号切换与低功率电机驱动。其小尺寸、低驱动电压和快速开关特性，使其成为工程师在紧凑型、低功耗设计中实现高效功率控制的理想选择。

• 型号:DMN31D5UFZ-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0606-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22.2 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:393mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0606-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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