DMN31D6UT-13

作为Diodes Incorporated旗下的一款高性能N沟道MOSFET，DMN31D6UT-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构基于优化的硅工艺设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件在紧凑的SOT-523封装内集成了高效的沟道结构，确保了在宽温度范围内的稳定性能，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在25°C下可达350mA，为低电压、小电流的开关与控制应用提供了可靠的功率处理能力。更值得关注的是其优异的栅极驱动性能，在2.5V的低驱动电压下即可开始有效导通，并在4.5V时达到最小导通电阻，这使得它非常兼容于现代低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器）的直接驱动，无需额外的电平转换或驱动放大电路，简化了系统设计。

在关键的动态与静态参数方面，DMN31D6UT-13在4.5V Vgs、100mA Id条件下的导通电阻（Rds(On)）最大值仅为1.5欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.4V，确保了明确的开关状态。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值0.35nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss，最大值13.6pF @ 15V）共同贡献了极快的开关速度，减少了开关过程中的能量损失，特别适合高频开关应用。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES一级代理获取原厂正品和技术支持。

凭借表面贴装（SMT）的SOT-523超小型封装和320mW的最大功率耗散能力，这款器件在空间受限的便携式及高密度PCB设计中展现出巨大优势。其典型的应用场景包括电池供电设备（如便携式医疗仪器、手持终端）中的负载开关、电源管理模块的功率分配、信号路由与隔离，以及作为低侧开关驱动小型继电器、LED或传感器。其稳健的性能也使其成为消费类电子产品、物联网（IoT）节点和汽车辅助系统中实现高效电能控制的理想选择。

• 型号:DMN31D6UT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13.6 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 现在可以订购DMN31D6UT-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。