DMN3200U-7

DMN3200U-7是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率开关器件。其核心架构基于成熟的平面工艺，在紧凑的SOT-23-3封装内集成了高性能的功率晶体管单元，实现了优异的电气特性与热性能的平衡。该器件采用表面贴装形式，便于自动化生产，其结构设计确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。

该器件在电气性能上表现出色，其漏源击穿电压(Vdss)高达30V，能够满足多种低压应用场景的需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为2.2A，提供了可观的电流处理能力。一个关键的优势在于其极低的导通电阻，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流为2.2A的条件下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为90毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1V，结合1.5V至4.5V的推荐驱动电压范围，使其能够轻松被微控制器或低压逻辑电路直接驱动，简化了外围电路设计。

在动态特性方面，DMN3200U-7的输入电容(Ciss)在10V漏源电压下最大值为290pF，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的损耗。其栅源电压(Vgs)最大耐受值为±8V，为驱动电路提供了安全裕量。器件的最大功耗为650mW，结合其紧凑的封装，要求在设计时充分考虑散热。其结温工作范围极宽，从-55°C到150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号产品。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET非常适合用于空间受限且对效率要求高的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池供电设备的电源管理模块，以及各类便携式电子产品和消费类电子产品中的功率开关功能。其SOT-23-3封装是业界标准，极大地方便了PCB布局和替换选型。

• 型号:DMN3200U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:650mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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