DMN33D8LTQ-13

DMN33D8LTQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-523封装，其核心设计旨在实现低压、小信号应用中的高效开关与信号调理。其架构优化了栅极控制与沟道导通特性，在极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）支持下，能够实现快速的状态切换，这对于高频或对时序要求严格的应用至关重要。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和115mA的连续漏极电流（Id）能力，为低功率电路提供了可靠的电压与电流裕量。其导通电阻（Rds(on)）在4V Vgs、10mA Id条件下典型值仅为5欧姆，配合低至1.5V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)），确保了器件能够在2.5V至4V的低驱动电压下被高效开启，显著降低了对驱动电路的要求并减少了系统整体功耗。其栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了抗电压尖峰的能力。

在接口与参数方面，DMN33D8LTQ-13的电气特性使其非常适合由微控制器或低压逻辑电路直接驱动。其最大功率耗散为240mW，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，保证了在苛刻环境下的稳定运行。该产品属于Automotive, AEC-Q101系列，意味着它通过了严格的汽车级可靠性认证，满足汽车电子对元器件的高质量与长寿命要求。对于需要可靠供应的设计项目，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该器件及其技术支持。

得益于其小尺寸、低功耗和高可靠性，DMN33D8LTQ-13广泛应用于空间受限且要求高稳定性的领域。典型应用包括汽车电子模块中的负载开关、信号隔离与电平转换，便携式设备及物联网（IoT）传感器节点的电源管理电路，以及各类消费电子和工业控制板卡上的小电流开关、模拟开关和信号选通功能。其表面贴装（SMT）特性也完全适配现代自动化生产线。

• 型号:DMN33D8LTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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