DMN33D8LTQ-7

Diodes Incorporated推出的DMN33D8LTQ-7是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体技术构建，其核心架构旨在实现低栅极电荷与低导通电阻的优化平衡。这种设计使其在极低的驱动电压下即可高效导通，同时将开关过程中的能量损耗降至最低，为空间和能效要求苛刻的应用提供了理想的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V，适用于常见的低压电源环境。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值为115mA，满足中小电流负载的开关与控制需求。其关键优势在于优异的栅极驱动性能，仅需2.5V的栅源电压即可开启，并在4V时达到最低导通电阻。具体而言，在Vgs为4V、Id为10mA的条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为5欧姆。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值低至1.5V @ 100A，确保了与微控制器及低电压逻辑电路的直接兼容性，无需额外的电平转换电路。

在动态参数方面，DMN33D8LTQ-7表现出色。在10V栅源电压下，其最大栅极电荷(Qg)仅为0.55nC，极低的开关电荷显著降低了驱动损耗并提升了开关频率潜力。同时，在5V漏源电压下，其最大输入电容(Ciss)为48pF，较小的电容值有助于减少开关延迟和驱动电路的负担。器件的栅源电压可承受±20V的冲击，提供了良好的可靠性裕度。其最大功耗为240mW (Ta)，采用超紧凑的SOT-523表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，并通过了AEC-Q101标准认证，满足汽车电子应用的严苛环境要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此产品。

凭借其低电压驱动、快速开关、小尺寸及高可靠性，DMN33D8LTQ-7广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、负载开关、信号切换以及汽车电子模块（如传感器接口、照明控制、信息娱乐系统外围电路）等领域。其设计充分考虑了现代电子系统对能效、空间和成本的多重要求，是工程师实现高效、紧凑电路设计的优选器件。

• 型号:DMN33D8LTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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