DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术制造，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在紧凑的封装内提供高效的功率开关性能。其沟道结构经过特别优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，这对于由低电压逻辑电路直接驱动的应用至关重要。

该MOSFET的功能特性突出体现在其极低的栅极阈值电压与驱动电压要求上。其最大栅源阈值电压仅为0.95V，而推荐的驱动电压范围低至1.8V至4.5V，这使得它能与绝大多数现代微控制器和数字逻辑芯片（工作电压为1.8V, 3.3V或5V）无缝兼容，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计。同时，在4.5V栅极电压下，其导通电阻最大值仅为460毫欧，确保了在750mA连续漏极电流下具有较低的传导损耗。其极低的栅极电荷（最大1.6nC）和输入电容（最大64.3pF）显著降低了开关过程中的驱动损耗，提升了高频开关应用的效率。

在电气参数方面，DMN3730UFB4-7提供了30V的漏源击穿电压，为12V或24V总线系统提供了充足的电压裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻环境下的可靠运行。器件采用超小型的X2-DFN1006-3表面贴装封装，占板面积极小，非常适合高密度PCB布局。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保获得原厂正品和完整的技术支持。

凭借其低电压驱动、高效率和小尺寸的特点，该器件非常适合应用于空间受限且对能效要求高的便携式电子设备中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理、负载开关和电池保护电路。此外，它也常见于低压DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动模块中的预驱动级，以及各类需要高速、小信号切换的工业控制和消费电子模块中。

• 型号:DMN3730UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:64.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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