DMN3730UFB4-7B

DMN3730UFB4-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的X2-DFN1006-3封装，专为在有限空间内实现高效功率切换而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(on)）的平衡，确保了在低栅极驱动电压下仍能实现优异的导通性能，这对于由低电压逻辑电路直接驱动的应用至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这直接转化为快速的开关速度和极低的开关损耗，使其在高频开关电路中表现出色。460毫欧@4.5V的低导通电阻确保了在750mA连续漏极电流下，器件的导通压降和功率耗散被控制在极低水平，有助于提升系统整体效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计兼容1.8V至4.5V的驱动逻辑，能够无缝对接现代微控制器和数字信号处理器，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，器件额定漏源电压（Vdss）为30V，提供了足够的电压裕量以应对常见的12V或24V总线系统中的电压尖峰。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并结合了470mW的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。该产品系列符合AEC-Q101标准，意味着其设计、制造和测试流程均满足汽车电子应用的严格要求，具备高可靠性和长寿命。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供货及时的有效途径。

基于上述特性，DMN3730UFB4-7B非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。其主要应用方向包括便携式设备的负载开关、电源管理模块中的DC-DC转换器同步整流、电机驱动中的H桥下管以及电池保护电路。在汽车电子领域，如车身控制模块（BCM）、LED照明驱动、传感器电源开关等低压系统中，其AEC-Q101认证和稳健的性能使其成为理想选择。

• 型号:DMN3730UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:64.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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