DMN3731U-13

作为一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管，DMN3731U-13在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的电气性能平衡。其核心架构基于成熟的硅基技术，通过优化的单元设计和制造工艺，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关速度与导通损耗之间取得了出色的折衷，特别适合由低电压逻辑电路直接驱动的应用场景。

该器件的一个显著特性是其极低的栅极阈值电压（Vgs(th)），最大值仅为0.95V，结合1.8V的驱动电压即可实现较低的导通电阻，这使得它能被绝大多数现代微控制器和数字逻辑芯片（工作电压低至1.8V或3.3V）轻松且高效地驱动，无需额外的电平转换或驱动放大电路。在4.5V栅源电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值远低于460毫欧，确保了在高达900mA连续漏极电流下仍能维持较低的传导损耗。同时，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）分别仅为5.5nC和73pF，这大幅降低了开关过程中的驱动损耗，提升了高频开关应用的效率。

在接口与参数方面，DMN3731U-13提供了30V的漏源击穿电压（Vdss），为12V或24V总线系统提供了充足的电压裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用标准的SOT-23表面贴装封装，具备良好的热性能和焊接可靠性，适合自动化贴装生产。对于需要稳定供货和完整技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

基于上述特点，该MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率有要求的便携式电子设备、电池管理系统中的负载开关、DC-DC转换器的同步整流或负载切换、电机驱动控制模块以及各类低电压、小功率的开关电源设计中。其优异的性能组合使其成为工程师在需要高性价比、小尺寸解决方案时的可靠选择。

• 型号:DMN3731U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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