DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用优化的垂直沟道架构，在紧凑的封装内实现了低导通电阻与高电流处理能力的平衡。其核心设计旨在降低开关损耗和传导损耗，这对于提升系统整体效率至关重要，尤其是在高频开关应用中。

该器件的一个关键特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压和10A漏极电流条件下，最大值仅为7.5毫欧。这一特性直接转化为更低的功率耗散和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为74nC @ 10V，结合3.3V的低阈值驱动电压，意味着器件能够实现快速、高效的开关动作，显著降低开关过程中的能量损失，并简化了驱动电路的设计。

在电气参数方面，DMN4008LFG-7具备40V的漏源击穿电压（Vdss）和高达14.4A的连续漏极电流（Id）能力，提供了宽裕的设计余量。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，增强了应用的鲁棒性。器件采用表面贴装型的PowerDI3333-8封装，这种封装具有良好的热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB布局。其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取样品或批量采购，可以联系官方授权的DIODES代理商。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合用于需要高效率电源转换和功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式设备、计算设备和消费电子产品的电源管理系统。其快速开关特性和低导通损耗使其成为空间受限且对能效有高要求的现代电子设计的理想选择。

• 型号:DMN4008LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3537 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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