DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252-3（DPAK）表面贴装封装中。其核心设计旨在实现低导通损耗与高效率的开关性能，通过优化的单元结构和工艺控制，在紧凑的封装内实现了优异的电气特性平衡。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压（Vgs）和14A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为8.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少发热。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为21nC @ 4.5V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平或模拟驱动电路的良好兼容性。

在电气参数方面，DMN4009LK3-13的漏源击穿电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为18A，能够承受一定的功率冲击。其最大功耗为2.19W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该器件的详细资料、样品及采购支持。

凭借40V的耐压、18A的电流能力、优异的低Rds(on)与开关特性，这款MOSFET主要面向空间和效率要求较高的DC-DC转换器、电机驱动控制、负载开关以及各类电源管理模块。其TO-252-3封装兼顾了功率处理能力和PCB占板面积，是消费电子、工业控制及汽车辅助系统中功率开关电路的常用选择之一。

• 型号:DMN4009LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2072 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.19W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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