DMN4010LFG-13

Diodes Incorporated推出的DMN4010LFG-13是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的金属氧化物半导体工艺，在紧凑的PowerDI3333-8封装内实现了优异的电气性能与热管理能力。该器件专为在低栅极驱动电压下实现高效率开关而设计，其沟道结构经过特别优化，旨在降低导通电阻和栅极电荷，从而显著减少开关损耗和传导损耗，提升系统整体能效。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其40V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在常见低压电源环境下的可靠工作裕量。在25°C环境温度下，器件可支持高达11.5A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）极低，在10V Vgs和14A Id条件下，最大值仅为12毫欧，这直接转化为更低的通态压降和功率损耗。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，而4.5V至10V的驱动电压范围使其能完美兼容3.3V和5V逻辑电平，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMN4010LFG-13同样表现卓越。其最大栅极电荷（Qg）在10V Vgs下仅为37nC，结合1810pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适用于高频开关应用。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±20V，提供了良好的抗干扰能力。其表面贴装型PowerDI3333-8封装不仅节省PCB空间，其热设计还能有效散热，确保器件在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，最大功率耗散为930mW。对于需要稳定供货和深度技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是可靠的选择。

凭借其综合性能，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。它广泛应用于DC-DC转换器（如同步整流和负载开关）、电机驱动控制、电池管理系统以及各类电源管理模块中。其优异的开关特性使其在便携式设备、计算设备、消费电子及工业自动化领域的电源设计中成为提升效率和可靠性的关键元件。

• 型号:DMN4010LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:930mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMN4010LFG-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。