DMN4026SSD-13

DMN4026SSD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装8-SOIC封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。每个通道均具备独立的源极和漏极引脚，为电路设计提供了灵活的布局和并联可能性，同时其紧凑的封装形式有效节省了PCB空间，适用于高密度安装的现代电子设备。

该器件作为逻辑电平门MOSFET，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了其能够被常见的3.3V或5V微控制器GPIO端口直接、高效地驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计。在电气性能方面，其漏源击穿电压(Vdss)为40V，连续漏极电流(Id)在25°C下可达7A，展现出良好的功率处理能力。尤为关键的是，其在10V栅源电压(Vgs)、6A漏极电流(Id)条件下的导通电阻(RDS(on))典型值低至24毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，对于电池供电设备或任何关注热管理的应用至关重要。

在动态特性上，DIODES代理提供的详细参数显示，其在10V Vgs下的栅极总电荷(Qg)最大值为19.1nC，结合1060pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其开关速度与驱动需求。较低的Qg值意味着栅极驱动电路所需的驱动电流更小，开关过渡过程更快，有助于降低开关损耗并提升高频工作性能。其最大功耗为1.3W，宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与稳定性。

基于上述技术特性，DMN4026SSD-13非常适合应用于需要高效功率切换与控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥配置、以及电池管理系统的负载保护与切换。其逻辑电平驱动的便利性、低导通电阻带来的高效率以及双通道集成的紧凑性，使其成为空间受限且对能效有较高要求的消费电子、工业控制及通信设备中功率管理部分的理想选择。

• 型号:DMN4026SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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