DMN4035L-13

DMN4035L-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一指标对于提升开关电源等应用的效率至关重要。器件内部集成了低阻抗的源极和漏极金属化结构，并结合了稳定的栅极氧化层，确保了在宽温度范围内的可靠性和性能一致性。

该器件在电气性能上表现出显著特点。其最大漏源电压(Vdss)为40V，连续漏极电流(Id)在环境温度下可达4.6A，这使其能够胜任多种中低功率的开关与线性调节任务。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源驱动电压(Vgs)下典型值仅为42毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和发热量，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为12.5nC，输入电容(Ciss)也较低，这意味着驱动电路所需的开关能量小，可以实现快速开关并降低驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，DMN4035L-13提供了宽泛且稳健的工作条件。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，与标准逻辑电平兼容性良好，而栅源电压最大可承受±20V，提供了充足的驱动安全裕量。器件的热性能同样出色，最大功耗为720mW，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。其采用行业标准的SOT-23表面贴装封装，体积小巧，非常适合高密度PCB布局，为工程师进行产品设计提供了极大的灵活性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取产品与相关服务。

基于其综合性能，该MOSFET广泛应用于各类电源管理及功率控制领域。它是DC-DC转换器中同步整流或负载开关的理想选择，其快速开关特性有助于提高转换器频率并减小外围无源元件尺寸。在电机驱动、电池保护电路及LED照明驱动中，它能有效承担功率切换角色。此外，在便携式设备、消费电子及工业控制模块中，其小封装和高效率的特点使其成为空间受限且对能效有要求的应用的优先选项。

• 型号:DMN4035L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:574 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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