DMN4035L-7

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计并生产的N沟道功率MOSFET，DMN4035L-7采用了先进的平面MOSFET工艺技术，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件在紧凑的SOT-23封装内集成了优化的单元结构，有效平衡了导通电阻与栅极电荷等关键参数，为开关电源和电机控制等应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压(Vdss)和4.6A的连续漏极电流(Id)能力，使其能够稳定工作在多种中低压场景。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源电压(Vgs)和4.3A电流条件下典型值仅为42毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极驱动设计友好，最大栅源阈值电压(Vgs(th))仅为3V，并且能够在4.5V至10V的驱动电压下实现优异的导通性能，兼容常见的3.3V和5V逻辑电平，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DMN4035L-7表现出色。其最大栅极电荷(Qg)低至12.5nC，结合574pF的输入电容(Ciss)，确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。器件允许的栅源电压范围为±20V，提供了足够的驱动安全裕度。其表面贴装型SOT-23封装不仅节省了宝贵的PCB空间，而且最大功率耗散能力达到720mW，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了其在严苛环境下的稳定性和耐久性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取此型号以确保产品正品和质量。

综合其电气参数与封装特性，该器件非常适合于空间受限且对效率有要求的应用。其主要应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、低压电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式设备中的电源管理模块。其优异的性能组合使其成为工程师在设计中实现小型化、高效能目标的理想选择。

• 型号:DMN4035L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:574 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMN4035L-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。