DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的硅基技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件旨在提供高效的功率开关能力，其设计重点在于降低导通损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备45V的漏源击穿电压(Vdss)和4.8A的连续漏极电流(Id)能力，为低压电源转换和电机控制应用提供了可靠的电压与电流裕量。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压(Vgs)和4.3A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为46毫欧，这直接转化为更低的导通状态功率损耗和更少的热量产生。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，并与4.5V的低驱动电压即可获得良好导通特性相结合，使其能够轻松兼容3.3V和5V逻辑电平的微控制器直接驱动，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DIODES代理处可获得详细资料，其栅极总电荷(Qg)典型值较低，这有助于减少开关过程中的栅极驱动损耗，实现更高的开关频率，从而允许使用更小体积的磁性元件。器件采用标准的TSOT-26表面贴装封装，占板面积小，适合高密度PCB布局，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。功率耗散能力为1.2W，在实际应用中需结合散热条件进行热设计。

凭借其综合性能，DMN4060SVT-7非常适用于空间受限且对效率有要求的场合。典型应用包括DC-DC同步整流转换器中的低压侧开关、电机驱动电路（如小型风扇、无人机电调）、负载开关、电池保护电路以及便携式设备中的电源管理模块。其高性价比和可靠的性能使其成为工程师在消费电子、工业控制和汽车辅助系统等领域进行功率路径设计的优选器件之一。

• 型号:DMN4060SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:45 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:46 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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