DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺制造，集成于紧凑的8引脚SOP封装内。其核心架构基于成熟的硅基技术，通过优化单元密度和沟道设计，在确保高电流处理能力的同时，实现了极低的导通电阻与栅极电荷，为高效率功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够持续处理高达10A的漏极电流。其关键特性在于优异的导通性能，在10V栅源驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至14毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.95V，并兼容宽范围的栅极驱动电压（±20V最大值），使其既能被标准逻辑电平（如3.3V或5V）有效驱动，也具备良好的抗干扰能力。较低的栅极总电荷（Qg，最大值18.85nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值867pF @ 10V）显著降低了开关过程中的驱动损耗，提升了开关频率潜力，这对于需要快速开关的DC-DC转换器或电机控制应用至关重要。

在接口与热性能方面，DMN4468LSS-13采用表面贴装型（SMT）8-SOP封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，在环境温度（Ta）下最大功耗为1.52W，展现了良好的热适应性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其平衡的性能参数，DMN4468LSS-13非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载点（POL）DC-DC同步整流和功率开关、笔记本电脑的电源管理、电池保护电路、低压电机驱动（如风扇、小型机器人）以及各类便携式设备中的功率分配模块。其稳健的设计确保了在严苛环境下的可靠运行，是工程师实现紧凑、高效功率解决方案的优选器件。

• 型号:DMN4468LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.95V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.52W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购DMN4468LSS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。