DMN4800LSS-13

Diodes Incorporated推出的DMN4800LSS-13是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。该芯片基于成熟的平面硅工艺构建，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。内部结构经过优化，通过精细的单元设计和沟道控制，有效降低了栅极电荷和寄生电容，从而为高效率的功率转换和管理提供了硬件基础。

在电气性能方面，该器件展现出显著的优势。其漏源电压（Vdss）额定为30V，能够稳定工作在常见的低压直流系统中。最突出的特性之一是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和9A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为16毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.6V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与主流微控制器和逻辑电平电路轻松兼容，简化了驱动电路设计。

器件的动态参数同样经过精心考量。栅极总电荷（Qg）在5V Vgs下最大值为9.47nC，结合798pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提升高频应用下的性能。其连续漏极电流（Id）在环境温度下可达9A，最大功率耗散为1.46W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了可靠的过载和温度余量。该芯片采用8-SOP表面贴装封装，具有良好的散热性能和PCB空间利用率，适合自动化生产。对于需要稳定供应链和正品保证的客户，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借其综合性能，DMN4800LSS-13非常适用于对效率和空间有严格要求的场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，能有效提升电源模块的功率密度。在电机驱动、电池管理系统（BMS）的充放电控制回路中，其快速开关和低导通损耗特性有助于实现精确的PWM控制和能量节约。此外，它也广泛应用于低压便携式设备、计算主板（如CPU/GPU供电）的电源分配以及各类消费电子产品的功率管理单元，是实现高效能、小型化设计的理想功率开关解决方案。

• 型号:DMN4800LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.47 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:798 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.46W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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