DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计和制造的单N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术构建，其核心是一个优化的垂直沟道结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其栅极采用金属氧化物半导体结构，提供了优异的输入阻抗和电压控制能力，使得该器件能够被微控制器或逻辑电平信号高效驱动，同时内部结构设计有效降低了寄生电容，为高频开关应用奠定了基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压额定值为50V，为低压至中压范围的电路设计提供了可靠的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流能力为360mA，足以驱动多种中小功率负载。其导通电阻表现优异，在Vgs=10V、Id=270mA的测试条件下，Rds(on)最大值仅为2欧姆，这直接转化为较低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为1.5V，结合5V和10V的典型驱动电压，使其能够完美兼容3.3V和5V逻辑系统，实现所谓的“逻辑电平”驱动，无需额外的电平转换电路。此外，其栅极电荷Qg最大值低至1.2nC，输入电容Ciss最大值仅为45.8pF，这些低电荷特性显著降低了开关过程中的驱动损耗，并支持更高的开关频率。

在接口与封装方面，该器件采用行业标准的SOT-323表面贴装封装，其紧凑的尺寸非常适合高密度PCB布局。其栅极-源极最大耐受电压为±20V，为栅极驱动提供了安全保护空间。器件的最大功耗为320mW，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

基于其综合性能，DMN53D0LW-7非常适用于空间受限且要求高效率的现代电子设备。典型应用场景包括便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、DC-DC转换器中的同步整流或低侧开关。此外，它也常被用于驱动小型继电器、LED灯组、微型电机，以及作为模拟开关或数据采集系统中的信号选通元件。其逻辑电平兼容性和快速开关特性使其成为电池供电产品和数字控制系统中的理想选择。

• 型号:DMN53D0LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 270mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45.8 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 现在可以订购DMN53D0LW-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。