DMN5L06-7

DMN5L06-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面MOSFET技术制造，其核心架构旨在实现低电压驱动下的高效开关控制。其栅极结构经过优化，能够在较低的栅源阈值电压下实现沟道的充分开启，这对于由微控制器或低电压逻辑电路直接驱动的应用至关重要。

该MOSFET的功能特点突出体现在其低压驱动性能上。其最大栅源阈值电压（Vgs(th)）仅为1.2V，而典型的完全开启驱动电压（Vgs）范围在1.8V至2.7V之间，这使得它能完美兼容1.8V、2.5V、3.3V等现代低电压逻辑电平。在2.7V驱动电压、200mA漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3欧姆，确保了在开关导通状态下的较低功耗和压降。此外，其输入电容（Ciss）最大值为50pF，较小的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。

在接口与关键参数方面，DMN5L06-7提供了稳健的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为50V，为负载开关或低侧开关应用提供了充足的电压裕量。连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为280mA，最大功耗为350mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻环境下的可靠性。器件采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，体积小巧，非常适合高密度PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理进行采购咨询。

基于其低压驱动、小封装和适中的电流电压能力，该器件主要面向空间受限、由电池或低电压系统供电的便携式电子设备。典型应用场景包括作为负载开关，用于控制便携设备中传感器、指示灯或外围电路的电源通断；在低侧开关配置中，驱动小型继电器、螺线管或LED；亦可用于信号切换和电平转换电路。其特性使其成为对功耗和板卡面积有严格要求的消费电子、物联网设备及便携式仪表的理想选择。

• 型号:DMN5L06-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.7V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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