DMN5L06T-7

DMN5L06T-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，集成于超小型的SOT-523表面贴装封装内。该器件设计用于在紧凑空间内实现高效的信号切换与功率控制，其核心架构基于稳定的硅基工艺，确保了在宽温度范围内的可靠电气特性。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达50V，为低压电路提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性。其连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下可达280mA，能够胜任多种中等电流负载的驱动任务。一个关键优势在于其低阈值电压与低导通电阻的组合，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大仅为1.2V，而在Vgs=2.7V、Id=200mA条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3欧姆。这种特性使其能够被低至1.8V的逻辑电平信号有效驱动，非常适合与微控制器或其他低压数字输出直接接口，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。

在动态性能方面，DMN5L06T-7表现出色，其输入电容（Ciss）在Vds=25V时最大为50pF，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，开关损耗更低，有助于提升高频应用中的效率。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±20V，提供了较强的栅极驱动抗干扰能力。其最大功耗为150mW，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。通过正规的DIODES代理渠道获取，可以保证产品的原装正品与供货支持。

凭借其小尺寸、低驱动电压和良好的开关特性，DMN5L06T-7广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、负载开关、信号路由以及各类低功率DC-DC转换器中，是实现电路小型化与高效化的理想选择。

• 型号:DMN5L06T-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.7V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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