DMN5L06TK-7

DMN5L06TK-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，在微型的SOT-523封装内集成了高性能的功率开关单元。该器件通过优化的沟道设计和栅极氧化层工艺，实现了在极低栅极驱动电压下的高效导通，同时确保了高耐压与良好的热稳定性，为空间受限的便携式电子设备提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)高达50V，为负载提供了宽裕的安全工作余量。在栅源电压(Vgs)为5V的条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至2欧姆（测试条件为Id=50mA），这意味着在开关或线性调节状态下，器件的导通损耗被控制在极低水平，有助于提升整体系统效率。尤为关键的是其极低的栅极阈值电压(Vgs(th))，最大值仅为1.2V（测试条件为Id=250A），结合1.8V至5V的推荐驱动电压范围，使其能够与绝大多数现代微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)及低电压逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换或驱动放大电路，极大地简化了系统设计。

在接口与参数方面，DMN5L06TK-7采用标准的三引脚SOT-523表面贴装封装，具有极小的占板面积，非常适合高密度PCB布局。其连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定值为280mA，最大功耗为150mW，输入电容(Ciss)最大值为50pF（测试条件为Vds=25V），这些参数共同决定了其快速开关响应能力和适用于中低频开关应用的特点。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过DIODES一级代理进行采购是保障供应链顺畅的可靠途径。

基于其小尺寸、低导通电阻和优异的低压驱动能力，DMN5L06TK-7广泛应用于消费电子、物联网设备及便携式仪器中。典型应用场景包括电池供电设备中的负载开关、电源管理模块的功率路径控制、信号线路的切换与隔离，以及作为传感器、LED灯串等小功率负载的驱动开关。其性能与封装形式的平衡，使其成为工程师在追求小型化、低功耗与高可靠性设计时的优选器件。

• 型号:DMN5L06TK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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