DMN5L06W-7

作为Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，DMN5L06W-7采用了先进的平面MOSFET技术。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过在硅衬底上形成高质量的栅极氧化层和低电阻的源漏区，实现了对沟道电流的高效控制。该器件采用紧凑的SOT-323表面贴装封装，内部结构经过优化以在微小体积内提供可靠的功率处理能力，其结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定工作。

该MOSFET的关键电气特性使其在低电压、小电流控制应用中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）为50V，提供了足够的电压裕量。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值为280mA，能够满足多数信号切换和低功率驱动需求。尤为突出的是其低阈值电压特性，Vgs(th)最大值仅为1.2V（在250A测试条件下），这意味着它能够与低至1.8V的逻辑电平信号直接兼容，无需额外的电平转换电路，极大地简化了系统设计。

在导通性能方面，当栅源电压（Vgs）为2.7V、漏极电流（Id）为200mA时，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为3欧姆。较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为50pF，较小的栅极电荷需求使得开关速度较快，动态损耗得以控制。其栅源电压可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极过压能力。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理进行采购咨询。

基于其参数特性，DMN5L06W-7非常适合空间受限且需要高效信号切换的场合。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关、电池供电系统的电源管理模块、低功耗MCU或逻辑电路的输出端口驱动，以及各类消费电子产品中的小功率电机或继电器的控制。其SOT-323封装非常适合高密度的PCB布局，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和参数组合仍为同类低电压、小尺寸MOSFET的选择提供了有价值的参考。

• 型号:DMN5L06W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.7V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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