DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术制造，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件专为在严苛的汽车电子及工业环境中实现高效功率切换而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量，增强了在负载突降等瞬态事件下的可靠性。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为13毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的功率耗散和更高的电流处理能力，在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)可达10.3A，而在借助封装良好散热（壳温Tc条件下）时更能支持高达45A的电流。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，并兼容宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，最大栅源电压可承受±20V，这使其既能被微控制器等低压逻辑信号有效驱动，也具备良好的抗干扰能力。

在动态性能方面，DIODES一级代理提供的技术资料显示，DMN6013LFGQ-13在10V Vgs下的栅极总电荷(Qg)最大值仅为55.4nC，结合2577pF的输入电容(Ciss)，意味着其所需的驱动能量较低，有助于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行。PowerDI3333-8封装不仅占板面积小，其热性能也经过优化，有助于将芯片产生的热量高效导出。

基于其稳健的电气参数和符合汽车级认证的品质，DMN6013LFGQ-13非常适用于需要高可靠性功率管理的场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、电池管理系统中的负载开关，以及工业自动化中的DC-DC转换器、电源逆变换向等。其低导通电阻和高电流能力的特性，使其成为在有限空间内构建高效、紧凑功率解决方案的理想选择。

• 型号:DMN6013LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2577 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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