DMN6040SFDE-7

DMN6040SFDE-7是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的6引脚U-DFN2020-6（E类）封装，专为表面贴装应用而优化，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

该MOSFET的核心优势在于其优异的导通性能与开关特性。其漏源电压（Vdss）额定值为60V，在25°C环境温度下可支持高达5.3A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和4.3A漏极电流条件下，最大值仅为38毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，而驱动电压范围宽至4.5V至10V，使其既能与标准逻辑电平兼容，也能在更高驱动电压下获得更优的导通性能。

在动态性能方面，DMN6040SFDE-7表现出色。其在10V Vgs下的最大栅极总电荷（Qg）仅为22.4nC，结合1287pF（在25V Vds下）的最大输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度。较低的Qg和Ciss值意味着栅极驱动电路所需的驱动电流更小，开关过程中的能量损耗更低，这对于高频开关应用（如DC-DC转换器）是极为关键的优势。此外，其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了良好的栅极保护裕量。

凭借60V的耐压、5.3A的电流能力、优异的低导通电阻与快速开关特性，这款MOSFET非常适合用于空间受限且对效率要求高的功率管理场景。其主要应用领域包括但不限于：负载开关、电机驱动控制、DC-DC同步整流及升降压转换器中的功率开关。对于需要可靠供应链保障的客户，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持。其最大功率耗散为660mW（Ta），平衡了功率处理能力与封装热性能，是紧凑型高密度电源设计的理想选择。

• 型号:DMN6040SFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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