DMN6040SSS-13

作为一款由Diodes Incorporated推出的高性能功率器件，DMN6040SSS-13是一款采用先进MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管。其核心架构基于成熟的平面硅工艺，在紧凑的8-SO封装内实现了优异的电气性能与热管理能力。该器件采用表面贴装设计，便于自动化生产，其内部结构经过优化，旨在提供低导通损耗与快速开关特性的理想平衡，这对于提升系统整体效率至关重要。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的性能。高达60V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够稳定工作在多种中压应用环境中，而在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达5.5A，赋予了其强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）表现尤为突出，在驱动电压Vgs为10V、漏极电流Id为4.5A的条件下，最大值仅为40毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生，对于提升电源转换效率和功率密度具有决定性意义。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。

该MOSFET的动态参数同样经过精心设计。在Vgs为10V时，最大栅极总电荷（Qg）仅为22.4nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用。其输入电容（Ciss）在Vds为25V时最大值为1287pF，合理的电容值有助于优化驱动电路并抑制开关噪声。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

凭借其综合性能，DMN6040SSS-13非常适合应用于对效率和空间有较高要求的领域。它常被用于DC-DC转换器的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类负载开关中。其优异的电气参数使其能够在服务器电源、通信设备、工业自动化以及便携式电子产品的电源管理模块中发挥关键作用，是实现高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMN6040SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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