DMN6040SVT-7

DMN6040SVT-7是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关速度的平衡，通过优化的单元结构和沟道设计，有效降低了栅极电荷和寄生电容，从而提升了整体能效和动态性能。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，为负载开关和电源转换应用提供了充足的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，能够处理中等功率等级的电流。其导通电阻（Rds(on)）表现优异，在Vgs=10V、Id=4.3A的测试条件下，最大值仅为44毫欧，这意味着在导通状态下产生的传导损耗极低，有助于提高系统效率并减少热耗散。

在驱动与开关特性方面，DMN6040SVT-7具有较低的栅极阈值电压（Vgs(th)）和栅极电荷（Qg）。其Vgs(th)最大值在Id=250A时为3V，而最大栅极电荷在Vgs=10V时仅为22.4nC。这些参数共同确保了器件能够被标准逻辑电平（如5V或3.3V）的控制器轻松、快速地驱动，同时减少了开关过程中的能量损失和驱动电路的压力。其输入电容（Ciss）在Vds=25V时最大值为1287pF，结合低Qg特性，使其非常适合高频开关应用。器件的栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了其抗干扰和可靠性。其封装为紧凑的TSOT-26表面贴装型，占板面积小，适合高密度PCB布局，最大功耗为1.2W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C。

凭借其综合性能，DMN6040SVT-7广泛应用于各类电源管理及功率控制场景。它是DC-DC同步整流、电机驱动、负载开关、电池保护电路以及低压大电流电源转换模块中的理想选择。对于需要可靠供应渠道的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品，确保设计的一致性与长期可靠性。

• 型号:DMN6040SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:44 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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