DMN6069SE-13

Diodes Incorporated推出的DMN6069SE-13是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用SOT-223封装，在紧凑的占板面积内提供了卓越的热性能和功率处理能力，其结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能。60V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够稳健地应用于常见的12V、24V乃至更高电压的系统中。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至69毫欧（@3A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16nC（@10V），结合825pF的输入电容（Ciss），意味着它具备快速的开关速度，有助于降低开关损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数设计上，DMN6069SE-13提供了灵活的驱动兼容性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，而标准驱动电压范围为4.5V至10V，这意味着它既能被3.3V或5V逻辑电平较好地开启，也能在10V驱动下获得最低的导通电阻。其最大连续漏极电流在环境温度（Ta）下为4.3A，在管壳温度（Tc）下可达10A，展现了出色的电流承载能力。为了确保设计链路的顺畅与产品可靠性，工程师可通过正规的DIODES授权代理获取完整的技术支持与供货保障。

凭借其AEC-Q101认证的汽车级产品系列身份，这款器件主要面向要求高可靠性和高性能的汽车电子应用场景，例如电动助力转向（EPS）、泵类控制、电机驱动模块以及LED照明驱动。同时，其在工业自动化、电源转换（如DC-DC转换器、负载开关）和消费类电子产品的功率管理电路中也有着广泛的应用潜力，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键元件。

• 型号:DMN6069SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta），10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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