DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性的平衡。其N沟道架构提供了优异的电子迁移率，结合优化的单元设计，使得器件在提供大电流能力的同时，能够有效控制导通损耗和开关损耗，为紧凑型电源和电机驱动应用提供了坚实的半导体基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其60V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在常见24V或48V总线系统中的稳定工作裕量。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下典型值仅为50毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在25nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关电源和PWM控制应用至关重要。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了与主流控制器良好的驱动兼容性。

在接口与参数层面，DMN6069SFG-13提供了灵活的驱动选项，支持4.5V至10V的标准逻辑电平驱动，最大栅源电压（Vgs）可达±20V，增强了抗干扰能力。其电流承载能力出色，在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为5.6A，而在管壳温度（Tc）条件下可达18A，展现了强大的散热潜力。器件采用PowerDI3333-8表面贴装封装，该封装具有极低的热阻和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB布局。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

凭借其综合性能，DMN6069SFG-13非常适合应用于多种中功率场景。在电源管理领域，它是DC-DC转换器（特别是同步整流拓扑）、负载开关和电池保护电路的理想选择。在电机控制方面，可用于驱动有刷直流电机、步进电机或作为H桥电路中的开关元件。此外，在LED照明驱动、便携式设备电源模块以及工业自动化控制板中，其高效率和紧凑封装都能显著提升系统性能和可靠性。

• 型号:DMN6069SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:930mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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