DMN6070SFCL-7

Diodes Incorporated推出的DMN6070SFCL-7是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，采用紧凑的X1-DFN1616-6（E类）封装，这一封装形式不仅优化了PCB空间占用，还通过其裸露焊盘设计显著提升了散热性能，确保器件在持续工作下的热稳定性。

在电气性能方面，DMN6070SFCL-7展现出卓越的导通特性。其最大漏源电压（Vdss）为60V，在25°C环境温度下可支持高达3A的连续漏极电流。尤为突出的是其低导通电阻，在10V栅源驱动电压（Vgs）和1.5A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为85毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。其栅极驱动设计兼容性强，标准4V至10V的驱动电压范围使其易于被主流控制器驱动，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在12.3nC @ 10V，有助于降低开关损耗并提升高频开关性能。

该器件的接口与参数设定充分考虑了实际应用的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了良好的抗电压尖峰能力。输入电容（Ciss）在20V漏源电压下最大值为606pF，结合其栅极电荷特性，共同决定了快速开关的动态响应。器件的功率耗散能力在环境温度下为600mW，其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购是保障产品正品与供货及时性的关键。

凭借其紧凑的尺寸、优异的电气性能和宽温工作能力，DMN6070SFCL-7非常适合于空间受限且对效率要求高的应用场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池管理系统中的保护与切换电路，以及各类便携式设备、消费电子和工业自动化设备的电源管理模块中，是实现高效能、小型化电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMN6070SFCL-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1616-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:606 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1616-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUFDFN
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