DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装8-SOIC封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。每个通道均设计为逻辑电平驱动，显著降低了对栅极驱动电压的要求，使其能够与3.3V或5V的现代微控制器及数字信号处理器直接兼容，简化了系统设计中的电平转换电路。

在电气性能方面，该器件展现出优异的导通特性，在10V栅源电压(Vgs)和12A漏极电流(Id)条件下，导通电阻(RDS(on))典型值低至80毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，结合极低的栅极电荷(Qg，最大值12.3nC @ 10V)和输入电容(Ciss，最大值588pF @ 30V)，共同确保了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关应用中降低开关损耗并提升整体性能。每个MOSFET的连续漏极电流额定值为3.3A，漏源击穿电压(Vdss)高达60V，提供了宽裕的工作电压余量。

该MOSFET阵列的封装形式为紧凑的8-SOIC，适合高密度PCB布局，其最大功耗为1.2W，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、数据手册及设计资源。其参数组合使其成为空间受限且对效率有要求的功率管理电路的理想选择。

得益于其双通道集成、逻辑电平兼容以及良好的热性能，DMN6070SSD-13非常适合应用于需要多路开关或同步整流的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和功率开关、电机驱动中的H桥或半桥电路、负载开关、电池保护电路以及各类便携式设备、消费电子和工业控制系统的电源管理模块。其设计充分考虑了现代电子系统对高功率密度和高能效的普遍需求。

• 型号:DMN6070SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:588pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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