DMN60H080DS-13

Diodes Incorporated推出的DMN60H080DS-13是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率器件。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过在单一硅片上集成高密度单元结构，实现了在紧凑封装内对高电压和低导通电阻的有效平衡。该器件采用表面贴装型SOT-23-3封装，为空间受限的应用提供了高集成度的解决方案。

该MOSFET具备高达600V的漏源击穿电压(Vdss)，使其能够从容应对离线式开关电源、功率因数校正等场合中的高压应力。在10V驱动电压(Vgs)下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至100欧姆（在60mA漏极电流条件下），这有助于降低导通损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计友好，阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，而最大栅源电压可承受±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。此外，极低的栅极电荷(Qg，最大值1.7nC @ 10V)和输入电容(Ciss，最大值25pF @ 25V)显著减少了开关过程中的驱动损耗和开关时间，有利于实现更高频率的开关操作，从而减小外围磁性元件的体积。

在电气参数方面，DMN60H080DS-13在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)额定值为80mA，最大功耗为1.1W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。这些特性使其特别适合于需要高压小电流开关或信号电平转换的场合。对于需要确保供应链稳定和产品可靠性的客户，通过正规的DIODES授权代理进行采购是获得原厂正品和技术支持的重要途径。

凭借其高压能力、低栅极电荷和紧凑的封装，该器件在各类电源管理应用中表现出色。典型应用包括作为离线式开关电源（如手机充电器、适配器）中的启动电路开关或钳位电路，LED照明驱动中的高压侧开关，以及工业控制、家用电器中的辅助电源和信号隔离电路。其SOT-23-3封装也使其非常适合用于电路板空间宝贵的便携式设备或高密度电源模块中。

• 型号:DMN60H080DS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 欧姆 @ 60mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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