DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装于紧凑的SOT-23外壳中。该器件设计用于在广泛的电压和电流范围内提供高效的开关性能，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和1.6A的连续漏极电流(Id)能力，为低压至中压应用提供了可靠的电压裕量。其导通电阻(Rds(on))在Vgs=10V、Id=1.8A的条件下典型值仅为140毫欧，这一低导通特性确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，其栅极驱动要求适中，最大栅源阈值电压(Vgs(th))为3V，在4.5V至10V的驱动电压下即可实现良好的导通，兼容常见的3.3V和5V逻辑电平，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，栅极总电荷(Qg)最大值仅为8.6nC，输入电容(Ciss)最大值为315pF，这些低电荷参数共同促成了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关过程中的损耗并允许更高频率的操作。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声能力。其表面贴装型SOT-23封装不仅节省了宝贵的PCB空间，而且其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和耐用性。

基于其性能参数组合，DMN6140LQ-13非常适合用于需要高效功率切换和空间受限的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池管理系统的负载保护与开关，以及各类便携式设备、消费电子和工业控制模块中的电源管理功能。其平衡的性能使其成为对效率、尺寸和成本均有要求的设计的优选器件。

• 型号:DMN6140LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMN6140LQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。