DMN61D9UW-13

作为一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，DMN61D9UW-13采用了先进的平面MOSFET工艺技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件在单晶硅衬底上集成了高密度的元胞结构，通过优化的沟道设计和栅氧层工艺，在确保高击穿电压的同时，有效降低了导通电阻和栅极电荷，为低电压、小电流的开关应用提供了优异的电气性能基础。

该MOSFET的功能特性突出体现在其低阈值电压和低栅极驱动需求上。其最大栅源阈值电压(Vgs(th))仅为1V，配合1.8V即可获得较低的导通电阻，这使得它能够完美兼容1.8V、3.3V等现代低压逻辑电平，直接由微控制器GPIO口驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，极大地简化了系统设计。同时，其极低的栅极电荷(Qg，最大值0.4nC)和输入电容(Ciss，最大值28.5pF)带来了极快的开关速度，显著降低了开关过程中的动态损耗，提升了整体能效。

在接口与关键参数方面，DMN61D9UW-13提供了60V的漏源击穿电压(Vdss)，确保在多种应用中有足够的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为340mA，最大导通电阻(RdsOn)在5V Vgs和50mA Id条件下仅为2欧姆，保证了在导通状态下较低的功率损耗。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的范围，增强了抗干扰能力。器件采用紧凑的SOT-323表面贴装封装，占板面积小，功率耗散能力为320mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的工业环境。如需获取稳定的供货和技术支持，可以联系官方授权的DIODES代理商。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合应用于空间受限、对能效和开关速度有较高要求的领域。典型应用场景包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理、负载开关、电池保护电路，以及作为信号切换、电平转换接口。在工业自动化领域，它也可用于驱动小型继电器、LED灯组或作为传感器信号的通路控制开关，其高可靠性和宽温工作范围确保了系统的长期稳定运行。

• 型号:DMN61D9UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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