DMN61D9UWQ-13

Diodes Incorporated推出的DMN61D9UWQ-13是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体技术构建，其核心设计旨在实现高效率的功率开关控制。芯片内部结构经过优化，在紧凑的封装内实现了优异的电气隔离和热性能，确保了在宽温范围内的稳定工作。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和400mA的连续漏极电流(Id)能力，为低压至中压应用提供了可靠的开关基础。其关键优势在于极低的栅极驱动需求，栅极阈值电压(Vgs(th))最大仅为1V，并且能够在1.8V至5V的低驱动电压下实现良好的导通特性。在5V Vgs和50mA Id条件下，其导通电阻(Rds(On))典型值低至2欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。

在动态特性方面，DMN61D9UWQ-13表现出色。栅极电荷(Qg)最大值仅为0.4nC，输入电容(Ciss)在30V Vds下最大为28.5pF，这些极低的寄生参数使得开关速度极快，开关损耗显著降低，非常适用于高频开关应用。同时，其栅源电压(Vgs)可承受±20V的范围，增强了驱动电路的鲁棒性。器件采用标准的SOT-323表面贴装封装，占板面积小，功率耗散能力达440mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此型号以确保产品正品和质量。

凭借其低电压驱动、快速开关、高耐压和小尺寸的综合性特点，该器件非常适合用于便携式设备的电源管理模块、负载开关电路、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及各类需要高效、紧凑型功率开关解决方案的场合，例如电池供电设备、通信模块和工业控制板卡中的信号切换与功率控制部分。

• 型号:DMN61D9UWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:440mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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