DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的X1-DFN1212-3表面贴装封装，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。其设计重点在于优化栅极驱动特性和导通电阻，使其在低电压驱动下即可实现优异的开关性能，同时确保在高达60V的漏源电压下稳定工作，为空间受限的现代电子设备提供了可靠的功率管理解决方案。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，在250A漏极电流下最大值仅为1V，这意味着它能够与低电压逻辑电路（如1.8V或3.3V微控制器）直接兼容，简化了驱动电路设计。其驱动电压范围覆盖1.8V至4V，在4V Vgs、100mA Id条件下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为2欧姆，有效降低了导通状态下的功率损耗。此外，其栅极电荷(Qg)在4.5V下最大值为500nC，输入电容(Ciss)在25V下最大值为31pF，这些低电荷和电容参数共同确保了快速的开关速度和较低的高频开关损耗，提升了整体系统效率。

在接口与参数方面，DIODES代理提供的技术资料显示，DMN62D0LFD-7的连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定值为310mA，最大栅源电压(Vgs)可承受±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其最大功耗为480mW (Ta)，宽泛的工作结温范围从-55°C延伸至150°C，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与长寿命。这些参数使其成为需要精密功率控制应用的理想选择。

基于其低电压驱动、快速开关、低导通电阻以及紧凑的DFN封装特性，DMN62D0LFD-7非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器中的同步整流或功率开关。此外，它也适用于低功率电机驱动、传感器电源管理模块以及各类消费电子和工业控制系统中需要高效、小型化功率开关的场合。

• 型号:DMN62D0LFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
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