DMN62D0UWQ-13

DMN62D0UWQ-13是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，在紧凑的SOT-323封装内实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。该器件采用了符合汽车级AEC-Q101标准的严格工艺流程，确保了在宽温度范围和高可靠性应用中的稳定性能。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达60V，为负载开关、电平转换等应用提供了充足的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为340mA，足以驱动多种中小功率负载。其导通电阻(Rds(On))表现突出，在Vgs=4.5V、Id=100mA的测试条件下，最大值仅为2欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且驱动电压范围宽（推荐工作区间为1.8V至4.5V），使其能够与低电压逻辑电路（如1.8V、3.3V、5V微控制器GPIO）直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，该器件在Vgs=4.5V时的栅极电荷(Qg)最大值仅为500pC，结合最大值32pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其极低的开关损耗和优秀的开关速度，非常适合高频PWM控制应用。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的冲击，增强了抗干扰能力。器件的最大功耗为320mW，采用表面贴装型SOT-323封装，具有优异的散热性能和占板面积小的优势。其结温(Tj)工作范围覆盖-55°C至150°C，满足严苛的工业及汽车电子环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品。

凭借其紧凑的封装、良好的电气性能和高可靠性，DMN62D0UWQ-13非常适用于空间受限且要求高效率的应用场景。典型应用包括便携式设备的电源管理模块、电池供电系统中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或开关元件、以及汽车电子中的辅助驱动电路，如LED照明控制、传感器电源开关等。其汽车级认证使其成为车身控制模块、信息娱乐系统等非安全关键领域高性价比的半导体解决方案。

• 型号:DMN62D0UWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 现在可以订购DMN62D0UWQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。