DMN62D1LFD-13

Diodes Incorporated推出的DMN62D1LFD-13是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道增强型功率器件。该芯片基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高效率的开关控制与信号放大。其结构优化了沟道导通特性，在紧凑的封装内实现了低导通电阻与高输入阻抗的平衡，这使其在低电压驱动下即可快速响应，有效降低开关损耗并提升系统能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达60V，提供了宽裕的工作电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值为400mA，足以应对中小功率负载的驱动需求。其栅极驱动电压范围设计兼容低电压逻辑，在1.8V至4V的Vgs范围内即可实现优异的导通性能，典型条件下，当Vgs为4V、Id为100mA时，导通电阻(Rds(On))最大值仅为2欧姆。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值低至1V，结合极低的栅极电荷(Qg，最大值0.55nC @ 4.5V)和输入电容(Ciss，最大值36pF @ 25V)，共同确保了极快的开关速度和极低的驱动功率需求，非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，DMN62D1LFD-13采用表面贴装型X1-DFN1212-3封装，尺寸极小，有利于高密度PCB布局。其栅极-源极电压(Vgs)可承受±20V的最大值，增强了抗栅极电压尖峰的能力。器件的最大功耗为500mW (Ta)，结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，通过正规的DIODES一级代理渠道采购，可以获得原厂技术支持与质量保证。

凭借其小尺寸、低驱动电压和高开关频率的优势，该MOSFET广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关电路、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及各类需要高效空间利用和节能设计的嵌入式控制模块中。其稳健的电气参数使其成为空间受限且对能效和可靠性有较高要求的现代电子产品的理想选择。

• 型号:DMN62D1LFD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
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