DMN62D1LFDQ-7

DMN62D1LFDQ-7是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的单元设计和沟道控制，在紧凑的U-DFN1212-3封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件属于Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列，确保了在严苛环境下的高可靠性和长期稳定性。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和400mA的连续漏极电流(Id)能力，为低压侧开关应用提供了充足的电压和电流裕量。其关键优势在于极低的栅极驱动要求，栅源阈值电压(Vgs(th))最大仅为1V，并且能够在1.5V至4V的低驱动电压下实现完全导通。在4V的Vgs驱动下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至2欧姆（在100mA条件下），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。此外，极低的栅极电荷(Qg，最大0.55nC @ 4.5V)和输入电容(Ciss，最大36pF @ 25V)使得开关速度极快，开关损耗极低，非常适合高频PWM开关应用。

在接口与参数方面，该器件采用三引脚表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极允许承受高达±20V的电压，提供了较强的抗干扰能力。最大功率耗散为500mW，结合其低导通电阻特性，使其在中小功率应用中能够有效管理热性能。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，完全满足汽车电子及工业应用对温度范围的严格要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号及其技术支持。

凭借其小型化、高效率和高可靠性的特点，DMN62D1LFDQ-7非常适用于空间受限且要求严苛的场合。典型应用包括汽车车身控制模块（如车窗升降、雨刷控制、LED驱动）、便携式设备的电源管理、电池保护电路、负载开关以及各类需要高频、高效开关的DC-DC转换器次级侧同步整流或功率路径管理。其汽车级认证使其成为对安全性和耐久性有高要求的车载电子系统的理想选择。

• 型号:DMN62D1LFDQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T\\u0026R 3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
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