DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件设计用于在紧凑的封装内提供高效的开关性能，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与低栅极电荷之间的良好平衡，从而在降低传导损耗的同时，也有效控制了开关损耗，提升了整体能效。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了稳健的电压裕量，适用于多种中低压环境。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为410mA，能够满足中小功率路径的电流处理需求。其导通特性尤为突出，在Vgs=10V、Id=40mA的条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为1.4欧姆，这直接转化为较低的导通压降和功率损耗。其栅极驱动特性友好，阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V，标准逻辑电平即可有效驱动；同时，最大栅极电荷(Qg)低至2.8nC，输入电容(Ciss)最大值为80pF，这些低电荷参数意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动功率需求，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件支持±20V的最大栅源电压，增强了栅极驱动的可靠性。其采用超小型的3-X1DFN1006表面贴装封装，封装尺寸仅为1.0mm x 0.6mm，极大地节省了PCB空间，非常适合高密度设计。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，最大功耗为470mW。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取正品器件和技术支持。

基于其小尺寸、低导通电阻和优异的开关特性，DMN62D1SFB-7B非常适用于空间受限且对效率有要求的应用场景。典型应用包括便携式设备（如智能手机、可穿戴设备）中的电源管理、负载开关、电池保护电路，以及作为信号切换、电平转换和电机驱动模块中的核心开关元件。其在DC-DC转换器的同步整流或低侧开关位置也能发挥良好性能，是工程师实现高效、紧凑型电源设计的理想选择。

• 型号:DMN62D1SFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):410mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 40mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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