DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-523封装，集成了高性能的硅栅极结构，其设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其内部架构优化了电荷分布，有效降低了栅极电荷和输入电容，这对于提升高频开关效率至关重要。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压和320mA的连续漏极电流能力，在5V或10V的驱动电压下即可实现完全导通。其导通电阻在10V Vgs和500mA Id条件下典型值仅为2欧姆，确保了在低压驱动下的高效功率传输。同时，其最大栅源阈值电压为2.5V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了系统设计。

在电气参数方面，DMN63D1LT-13表现出色。其栅极电荷（Qg）最大值仅为392nC @ 4.5V，输入电容（Ciss）最大值低至30pF @ 25V，这些特性共同决定了其极低的开关损耗和优秀的动态响应。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，表面贴装的SOT-523封装形式也使其能够适应高密度PCB布局的要求，最大功耗为330mW。

凭借其小尺寸、低驱动要求和稳健的电气性能，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场合。典型应用包括便携式设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电池管理电路，以及各类信号切换和驱动模块。对于需要可靠供应链保障的项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保获得原装正品和完整的技术支持。

• 型号:DMN63D1LT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:392 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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